半导体结构及其形成方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113745150 A (43)申请公布日 2021.12.03 (21)申请号 202010473015.5 (22)申请日 2020.05.29 (71)申请人 中芯国际集成电路制造（上海）有限 公司 地址 201203 上海市浦东新区中国（上海） 自由贸易试验区张江路18号 申请人 中芯国际集成电路制造（北京）有限 公司 (72)发明人 雷镇全　张婧　 (74)专利代理机构 上海知锦知识产权代理事务 所(特殊普通合伙) 31327 代理人 高静 (51)Int.Cl. H01L 21/768(2006.01) H01L 23/528(2006.01) 权利要求书2页 说明书12页 附图7页 (54)发明名称 半导体结构及其形成方法 (57)摘要 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包 括：提供基底，基底上形成有图形传递材料层；形 成覆盖图形传递材料层的保护层和覆盖保护层 的掩膜叠层，掩膜叠层包括由下而上依次堆叠的 抗反射涂层和光刻胶层；图形化光刻胶层，形成 图形开口；判断图形开口是否满足图形检测基 准；当不满足时，执行返工操作，返工操作包括： 依次去除掩膜叠层和保护层；当满足时，沿图形 开口刻蚀抗反射涂层和保护层，露出图形传递材