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发明

一种无铅压电陶瓷及其制备方法与应用2024

2024-04-21 07:44:03 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202311518694.3
  • 公开（公告）日：2024-04-19
  • 公开（公告）号：CN117902897A
  • 申请人：苏州思若梅克电子科技有限公司
摘要：本发明属于陶瓷材料制备方法技术领域，具体涉及一种无铅压电陶瓷及其制备方法与应用。所述无铅压电陶瓷为KNN基无铅压电陶瓷或BT基无铅压电陶瓷，具有钙钛矿结构；所述KNN基无铅压电陶瓷是以铌酸钾钠（KNN）陶瓷为基体掺杂氮化镓制备而成，化学式为0.955(K0.48Na0.52)Nb0.98Sb0.02O3‒0.045Bi0.5Na0.5ZrO3‒0.75mol%GaN；所述BT基无铅压电陶瓷是以酸钡（BT）陶瓷为基体掺杂氮化镓制备而成，化学式为（Ba0.85Ca0.15）（Ti0.9Zr0.1）O3‒1.75mol%GaN；所述无铅压电陶瓷具有结构致密，不含铅及电化学性能良好的的特点。所述无铅压电陶瓷的制备方法具有操作简单，成本低，无污染及原料易得的优点。所述无铅压电陶瓷可用于制备能量收集器，具有重要的应用价值。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117902897 A (43)申请公布日 2024.04.19 (21)申请号 202311518694.3 H10N 30/093 (2023.01) (22)申请日 2023.11.15 (71)申请人 苏州思若梅克电子科技有限公司 地址 215300 江苏省苏州市昆山开发区春 旭路168号帝宝金融大厦第19层1905 室 (72)发明人 郇宇　王垂磊　王庆莹　 (74)专利代理机构 山东知圣律师事务所 37262 专利代理师 丁奎英 (51)Int.Cl. C04B 35/495 (2006.01) C04B 35/622 (2006.01) C04B 35/49 (2006.01) C04B 41/88 (2006.01) H10N 30/853 (2023.01) 权利要求书2页 说明书8页 附图16页 (54)发明名称 一种无铅压电陶瓷及其制备方法与应用 (57)摘要 本发明属于陶瓷材料制备方法技术领域，具 体涉及一种无铅压电陶瓷及其制备方法与应用。 所述无铅压电陶瓷为KNN基无铅压电陶瓷或BT基 无铅压电陶瓷，具有钙钛矿结构；所述KNN基无铅 压电陶瓷是以铌酸钾钠（KNN）陶瓷为基体掺杂氮 化镓制备而成，化学式为0 .955 (K0 .48Na0 .52) Nb Sb O ‒0.045Bi Na ZrO ‒0.75mol

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