测试结构及测试方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113745124 A (43)申请公布日 2021.12.03 (21)申请号 202010470615.6 (22)申请日 2020.05.28 (71)申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限 公司 地址 201203 上海市浦东新区张江路18号 申请人 中芯国际集成电路制造(北京)有限 公司 (72)发明人 王伟　王成博　苏波　 (74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限 公司 11227 代理人 徐文欣 (51)Int.Cl. H01L 21/66(2006.01) H01L 23/544(2006.01) 权利要求书2页 说明书8页 附图3页 (54)发明名称 测试结构及测试方法 (57)摘要 一种测试结构及测试方法，其中测试结构包 括：基底；位于所述基底上的待测第一导电层，所 述待测第一导电层内具有若干第一隔断；位于所 述基底上相互平行排列的多个待测第二导电层， 每个所述待测第二导电层内均具有若干第二隔 断，且至少一个待测第二导电层与待测第一导电 层电连接；位于所述基底上相互平行排列的若干 第一导电层，每个所述第一导电层与待测第二导 电层电连接；与所述待测第一导电层电连接的第 一测试端；与一个所述第一导电层电连接的第二 测试端。通过所述测试结构进行测试，以满足