1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 专利分类
  4. 化学/冶金
发明

一种NiO/Bi2MoO6异质结阵列及其制备方法和应用2025

2023-12-08 07:29:48 发布于四川 1
  • 申请专利号：CN202310561156.6
  • 公开（公告）日：2025-06-20
  • 公开（公告）号：CN117164023A
  • 申请人：江西师范大学
摘要：本发明属于气体传感材料制备领域，公开了一种NiO/Bi2MoO6异质结阵列及其制备方法和应用。本发明首先采用水热法在商用平板型Al2O3气敏基片表面原位生长Ni(OH)2纳米片阵列，然后通过氧化退火处理将Ni(OH)2纳米片阵列转化为多孔的NiO纳米片阵列，最后采用溶剂热法进一步在NiO纳米片阵列表面原位沉积Bi2MoO6纳米颗粒，制得NiO/Bi2MoO6异质结阵列。本发明的制备过程简单、成本低廉，风险性低。本发明制得的NiO/Bi2MoO6异质结阵列具有多孔结构和大的比表面积，以及具有良好的异质界面接触，可以在可见光激发下实现乙醚气体的室温高选择性检测。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117164023 A (43)申请公布日 2023.12.05 (21)申请号 202310561156.6 B82Y 15/00 (2011.01) G01N 27/12 (2006.01) (22)申请日 2023.05.18 (71)申请人 江西师范大学 地址 330000 江西省南昌市高新技术开发 区紫阳大道99号 (72)发明人 杨勇　龚吴非　梁艳　袁彩雷　 俞挺　尧慎曼　 (74)专利代理机构 南昌大牛知识产权代理事务 所(普通合伙) 36135 专利代理师 刘华 (51)Int.Cl. C01G 53/04 (2006.01) C01G 39/00 (2006.01) B82Y 40/00 (2011.01) B82Y 30/00 (2011.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图5页 (54)发明名称 一种NiO/Bi MoO 异质结阵列及其制备方法 2 6 和应用 (57)摘要 本发明属于气体传感材料制备领域，公开了 一种NiO/Bi MoO 异质结阵列及其制备方法和应 2 6

最新专利

相关专利