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发明

一种聚合物衍生Cf-Si3N4复合陶瓷及其制备方法2025

2024-04-16 07:25:32 发布于四川 2
  • 申请专利号：CN202410075781.4
  • 公开（公告）日：2025-07-08
  • 公开（公告）号：CN117865703A
  • 申请人：黄淮学院
摘要：本发明属于氮化硅陶瓷材料制备技术领域，具体涉及一种聚合物衍生Cf‑Si3N4复合陶瓷及其制备方法。本发明提供的聚合物衍生Cf‑Si3N4复合陶瓷的制备方法，采用聚合物衍生结合高温高压方法制备复合陶瓷。本发明通过对聚合物形成的先驱体陶瓷粉体的工艺进行设计，能够有效得到微纳米级别的非晶SiCN前驱体；结合高温高压技术能够有效促进聚合物前驱体陶瓷的高温晶化与致密化。本发明提供的上述方法，不仅能够实现Cf/Si3N4复合陶瓷的快速制备，而且制备所得复合陶瓷具有优良的致密度、电导性以及力学性能，非常适合用来制备碳增强陶瓷基复合材料，在氮化硅陶瓷材料的制备和应用领域具有广泛的实际应用价值。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117865703 A (43)申请公布日 2024.04.12 (21)申请号 202410075781.4 (22)申请日 2024.01.18 (71)申请人 黄淮学院 地址 463000 河南省驻马店市驿城区开源 路6号 (72)发明人 彭文峰　邵刚　张壮飞　王欣宇　 王海龙　张锐　胡益博　 (74)专利代理机构 郑州明华专利代理事务所 (普通合伙) 41162 专利代理师 袁艳丽 (51)Int.Cl. C04B 35/80 (2006.01) C04B 35/622 (2006.01) C04B 35/584 (2006.01) 权利要求书1页 说明书7页 附图2页 (54)发明名称 一种聚合物衍生C -Si N 复合陶瓷及其制备 f 3 4 方法 (57)摘要 本发明属于氮化硅陶瓷材料制备技术领域， 具体涉及一种聚合物衍生C ‑Si N 复合陶瓷及其 f 3 4 制备方法。本发明提供的聚合物衍生C ‑Si N 复 f 3 4 合陶瓷的制备方法，采用聚合物衍生结合高温高 压方法制备复合陶瓷。本发明通过对聚合物形成 的先驱体陶瓷粉体的工艺进行设计，能够有效得 到微纳米级别的非晶SiCN前驱体；结合高温高压 技术能够有效促

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