实用新型

一种半桥驱动器陶瓷贴片式封装结构2025

2025-06-21 13:32:48 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202421693751.1
  • 公开(公告)日:2025-06-20
  • 公开(公告)号:CN223006770U
  • 申请人:中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
摘要:一种半桥驱动器陶瓷贴片式封装结构,属于微电子器件封装技术领域。所述结构包括陶瓷底座、陶瓷盖板。陶瓷底座由外壳封口环、陶瓷底座本体、热沉区/芯片组装区、背面金属电极组成。陶瓷底座本体背面为背面金属电极,根据封装电路的要求进行排列;陶瓷底座本体正面为电路组装框体,框体周边为框壁,框体底面为平面,框体底面中央区域为凹坑的热沉区/芯片组装区,热沉组装于凹坑底部,芯片组装于热沉表面,凹坑周边平面区域为内部金属导带及引线键合区布线层。解决了现有全硅或全GaN半桥驱动器封装技术及封装结构难以满足高散热性、低输入输出阻抗、高绝缘性、高可靠性要求的问题。广泛用于半导体功率器件、混合集成电路等产品封装技术领域。

专利内容

一种半桥驱动器陶瓷贴片式封装结构,属于微电子器件封装技术领域。所述结构包括陶瓷底座、陶瓷盖板。陶瓷底座由外壳封口环、陶瓷底座本体、热沉区/芯片组装区、背面金属电极组成。陶瓷底座本体背面为背面金属电极,根据封装电路的要求进行排列;陶瓷底座本体正面为电路组装框体,框体周边为框壁,框体底面为平面,框体底面中央区域为凹坑的热沉区/芯片组装区,热沉组装于凹坑底部,芯片组装于热沉表面,凹坑周边平面区域为内部金属导带及引线键合区布线层。解决了现有全硅或全GaN半桥驱动器封装技术及封装结构难以满足高散热性、低输入输出阻抗、高绝缘性、高可靠性要求的问题。广泛用于半导体功率器件、混合集成电路等产品封装技术领域。H01L23/373(2006.01);H01L23/367(2006.01);H01L23/29(2006.01);H01L23/31(2006.01);H01L23/495(2006.01);H01L23/15(2006.01)

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