一种NiZnInCuCd纳米超薄高熵合金层的制备方法2025
- 申请专利号:CN202311007433.5
- 公开(公告)日:2025-08-19
- 公开(公告)号:CN117004946A
- 申请人:电子科技大学长三角研究院(衢州)
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117004946 A (43)申请公布日 2023.11.07 (21)申请号 202311007433.5 B82Y 30/00 (2011.01) H01M 4/38 (2006.01) (22)申请日 2023.08.11 H01M 4/42 (2006.01) (71)申请人 电子科技大学长三角研究院(衢州) 地址 324000 浙江省衢州市柯城区芹江东 路288号1幢18楼 (72)发明人 王思哲 廖家轩 王珺 (74)专利代理机构 成都虹盛汇泉专利代理有限 公司 51268 专利代理师 陈婷 (51)Int.Cl. C23C 26/00 (2006.01) B22F 9/22 (2006.01) C22C 30/02 (2006.01) C22C 30/06 (2006.01) B22F 1/054 (2022.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图4页 (54)发明名称 一种NiZnInCuCd纳米超薄高熵合金层的制 备方法 (57)摘要 本发明公开了一种NiZnInCuCd纳米超薄高 熵合金层的制备方法,包括以下步骤:S1、按等摩 尔比称取镍、锌、镉
原创力.专利