一种沉铜工艺前处理方法及芯片封装工艺

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114481108 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202210059202.8 (22)申请日 2022.01.19 (71)申请人 合肥矽迈微电子科技有限公司 地址 230088 安徽省合肥市高新区习友路 3699号 (72)发明人 魏厚韬　操守杰　 (51)Int.Cl. C23C 18/54 (2006.01) C23F 1/28 (2006.01) C23F 17/00 (2006.01) C23G 1/08 (2006.01) C25D 5/36 (2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图1页 (54)发明名称 一种沉铜工艺前处理方法及芯片封装工艺 (57)摘要 本发明公开了一种沉铜工艺前处理方法及 芯片封装工艺，包括以下步骤，步骤一：准备芯片 封装工艺中的所采用的不锈钢钢板作为基材；步 骤二：对沉铜工艺之前的蚀刻生产线中设置至少 一组化学药水槽；步骤三：在化学药水槽中添加 混合液，混合液先与不锈钢钢材表面氧化膜参与 反应除去氧化膜，然后，再参与化学置换反应形 成Cu单质的反应介质。本发明的沉铜工艺前处理 方法具有以下优点：采用快速蚀刻和药水洗，通 过化学处理，可自由实现控制钢板表面粗糙度， 此法高效简单，工作劳动强度大大减轻。 A 8 0 1 1 8 4 4 1 1 N C CN 114481108 A 权　利　要　求　书