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发明

一种核壳结构填料及其制备方法和在聚醚酰亚胺基储能复合介质薄膜中的应用2024

2024-03-29 07:22:50 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202311726912.2
  • 公开（公告）日：2024-12-13
  • 公开（公告）号：CN117757147A
  • 申请人：哈尔滨理工大学
摘要：一种核壳结构填料及其制备方法和在聚醚酰亚胺基储能复合介质薄膜中的应用。本发明属于储能电介质材料及其制备领域。本发明的目的是为了解决现有聚醚酰亚胺基储能复合介质高温储能特性差和介电损耗高的技术问题。本发明运用磁控溅射技术制备核壳结构填料，通过调控磁控溅射的溅射时间，获得具有较大的能带隙差的BN@MgO颗粒，再将氮化硼包覆氧化镁颗粒引入聚醚酰亚胺基体内，在氮化硼包覆氧化镁颗粒内部形成异质结构建局部电场以抑制击穿路径，这种核壳结构可以有效抵消外加电场的作用，并且可以有效抑制载流子在复合介质内部的输运，降低了复合介质的电流密度，最终有效改善了复合介质在宽温度范围内的绝缘性能。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117757147 A (43)申请公布日 2024.03.26 (21)申请号 202311726912.2 H01G 4/18 (2006.01) H01G 4/33 (2006.01) (22)申请日 2023.12.15 C08L 79/08 (2006.01) (71)申请人 哈尔滨理工大学 地址 150080 黑龙江省哈尔滨市南岗区学 府路52号 (72)发明人 张天栋　金子琪　孟兆通　张昌海　 迟庆国　李华　 (74)专利代理机构 哈尔滨市阳光惠远知识产权 代理有限公司 23211 专利代理师 姜欢欢 (51)Int.Cl. C08K 9/10 (2006.01) C08K 3/22 (2006.01) C08K 3/38 (2006.01) C08J 5/18 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图6页 (54)发明名称 一种核壳结构填料及其制备方法和在聚醚 酰亚胺基储能复合介质薄膜中的应用 (57)摘要 一种核壳结构填料及其制备方法和在聚醚 酰亚胺基储能复合介质薄膜中的应用。本发明属 于储能电介质材料及其制备领域。本发明的目的 是为了解决

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