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氮化硅陶瓷及其制备方法、封装制品2024

2024-02-15 07:35:05 发布于四川 11
  • 申请专利号:CN202311771013.4
  • 公开(公告)日:2024-02-09
  • 公开(公告)号:CN117534481A
  • 申请人:佛山华智新材料有限公司
摘要:本申请提供一种氮化硅陶瓷及其制备方法、封装制品。该氮化硅陶瓷的制备方法包括如下步骤:将陶瓷组合物浆料依次进行成型处理和空气排胶处理,制备素坯;将素坯置于碳源溶液中进行浸渍处理,制备浸渍后的素坯;将浸渍后的素坯进行烧结处理,制备氮化硅陶瓷;陶瓷组合物浆料包括:氮化硅、第一烧结助剂、第二烧结助剂、分散剂、粘结剂、消泡剂及溶剂;第一烧结助剂为氧化镁,第二烧结助剂为稀土氧化物。该制备方法能提高制得的氮化硅陶瓷的导热性。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117534481 A (43)申请公布日 2024.02.09 (21)申请号 202311771013.4 (22)申请日 2023.12.20 (71)申请人 佛山华智新材料有限公司 地址 528000 广东省佛山市南海区狮山镇 华沙路12号之一南海平谦国际智慧产 业园A9-1 (72)发明人 姚华  (74)专利代理机构 华进联合专利商标代理有限 公司 44224 专利代理师 刘薇 (51)Int.Cl. C04B 35/584 (2006.01) 权利要求书1页 说明书8页 (54)发明名称 氮化硅陶瓷及其制备方法、封装制品 (57)摘要 本申请提供一种氮化硅陶瓷及其制备方法、 封装制品。该氮化硅陶瓷的制备方法包括如下步 骤:将陶瓷组合物浆料依次进行成型处理和空气 排胶处理,制备素坯;将素坯置于碳源溶液中进 行浸渍处理,制备浸渍后的素坯;将浸渍后的素 坯进行烧结处理,制备氮化硅陶瓷;陶瓷组合物 浆料包括:氮化硅、第一烧结助剂、第二烧结助 剂、分散剂、粘结剂、消泡剂及溶剂;第一烧结助 剂为氧化镁,第二烧结助剂为稀土氧化物。该制 备方法能提高制得的氮化硅陶瓷的导热性。 A 1 8 4 4 3 5 7 1 1 N C CN 117534481 A 权 利 要 求 书 1/1页 1

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