1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 专利分类
  4. 化学/冶金
发明

高纯超细氮化硅粉体的制备工艺2026

2024-06-01 07:59:53 发布于四川 40
  • 申请专利号：CN202410224195.1
  • 公开（公告）日：2026-03-20
  • 公开（公告）号：CN118084506A
  • 申请人：中材高新氮化物陶瓷有限公司
摘要：本发明公开了高纯超细氮化硅粉体的制备工艺，包括：以下步骤：S1，硅块坯体的制备：包括：S11，将硅粉先和稀释剂混合，得到粉体混合物；S12，将粉体混合物与粘结剂混合后，进行球形化处理，得到硅粉混合粒；S13，将硅粉混合粒压制成型，得到硅块坯体；S2，氮化硅块的制备：包括：S21，将硅块坯体在抽真空条件下第一段烧结脱脂，再进行第二段烧结氮化，通入氮氢氩混合气，氮氢氩混合气包括氮气、氢气和氩气，排空气体后得到氮化硅块；S3，氮化硅粉体的制备：包括：S31，将氮化硅块破碎，得到氮化硅粉体。通过球形化处理增加硅块内部颗粒与颗粒之间的孔隙率，避免聚热；通过合理烧结工艺避免出现硅溢，避免α相向β相转化，保证硅块能够充分的氮化。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 118084506 A (43)申请公布日 2024.05.28 (21)申请号 202410224195.1 C04B 35/622 (2006.01) C04B 35/634 (2006.01) (22)申请日 2024.02.29 C04B 38/06 (2006.01) (71)申请人 中材高新氮化物陶瓷有限公司 C04B 35/64 (2006.01) 地址 255000 山东省淄博市高新区四宝山 街道裕民路122号 (72)发明人 王瑞强　申常胜　李镔　邢培吉　 王腾飞　张骥　赵红超　齐新栓　 张伟儒　陈波　 (74)专利代理机构 深圳市育科知识产权代理有 限公司 44509 专利代理师 邓旭 (51)Int.Cl. C04B 35/587 (2006.01) C04B 35/591 (2006.01) C04B 35/626 (2006.01) 权利要求书2页 说明书7页 附图2页 (54)发明名称 高纯超细氮化硅粉体的制备工艺 (57)摘要 本发明公开了高纯超细氮化硅粉体的制备 工艺，包括：以下步骤：

最新专利

相关专利