碳化硅晶片及其制造方法和半导体器件

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114250516 A (43)申请公布日 2022.03.29 (21)申请号 202111093519.5 C30B 23/00 (2006.01) H01L 29/16 (2006.01) (22)申请日 2021.09.17 (30)优先权数据 10-2020-0122140 2020.09.22 KR 10-2020-0163017 2020.11.27 KR 10-2020-0162936 2020.11.27 KR (71)申请人 赛尼克公司 地址 韩国忠清南道 (72)发明人 朴钟辉　具甲烈　崔正宇　张炳圭　 甄明玉　金政圭　徐正斗　 (74)专利代理机构 成都超凡明远知识产权代理 有限公司 51258 代理人 魏彦 (51)Int.Cl. C30B 29/36 (2006.01) 权利要求书2页 说明书25页 附图7页 (54)发明名称 碳化硅晶片及其制造方法和半导体器件 (57)摘要 本实施方式提供如下的碳化硅锭及碳化硅 晶片：在碳化硅锭的制造过程中，通过控制非活 性气体的流量、反应容器的热特性来确保换算弹 性模量、硬度等的机械特性。并且，本实施方式提 供如下的碳化硅锭及晶片：如位错密度等的缺陷 值降低，具