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一种纳米颗粒增强Mg-Sn二元合金及其制备方法2026

2024-06-01 07:25:16 发布于四川 3
  • 申请专利号:CN202410226838.6
  • 公开(公告)日:2026-11-10
  • 公开(公告)号:CN118064739A
  • 申请人:西南交通大学
摘要:一种纳米颗粒增强Mg‑Sn二元合金及其制备方法,制备方法步骤如下:A、按照设定的各组成元素的质量百分含量配比,制备铸态Mg‑Sn二元合金;设定的各组成元素的质量百分含量分别为:1‑14%Sn,不可避免的杂质元素含量≤0.1%,其余为Sn;B、将铸态Mg‑Sn二元合金进行退火处理;C、将经过退火处理的Mg‑Sn二元合金在300‑400℃下保温2‑4h后,进行热挤压,挤压温度为300‑400℃,挤压速度为0.1‑5mm/s,挤压比为9‑30:1;D、将热挤压加工后的Mg‑Sn二元合金置于热处理炉中,随炉升温至550‑640℃进行半固态等温处理,保温0.1‑4h,水冷淬火;E、将Mg‑Sn二元合金在200‑400℃下保温2‑4h后,进行二次挤压,即得;二次挤压的挤压温度为200‑400℃,挤压速度为0.1‑5mm/s,挤压比为9‑60:1。该方法制备的Mg‑Sn二元合金兼具优良的屈服强度、拉伸强度和延伸率。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 118064739 A (43)申请公布日 2024.05.24 (21)申请号 202410226838.6 (22)申请日 2024.02.29 (71)申请人 西南交通大学 地址 610031 四川省成都市金牛区二环路 北一段111号 (72)发明人 张英波 吴东亮 胡云峰  (74)专利代理机构 成都众恒智合专利代理事务 所(普通合伙) 51239 专利代理师 吴桐 (51)Int.Cl. C22C 1/02 (2006.01) C22C 23/00 (2006.01) C22F 1/06 (2006.01) B21C 23/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书7页 附图2页 (54)发明名称 一种纳米颗粒增强Mg-Sn二元合金及其制备 方法 (57)摘要 一种纳米颗粒增强Mg‑Sn二元合金及其制备 方法,制备方法步骤如下:A、按照设定的各组成 元素的质量百分含量配比,制备铸态Mg‑Sn二元 合金;设定的各组成元素的质量百分含量分别 为:1‑14%Sn ,不可避免的杂质元素含量≤ 0.1%,其余为Sn;B、将铸态Mg‑Sn二元合金进行 退火处理;C、将经过退火处理的Mg‑Sn二元合金 在300‑400℃下保温2‑4h后,进行热挤压,挤压温 度为300‑400℃,挤压速度为0.1‑5mm/s,挤压比 为9‑30:1;D、将热挤压加工后的Mg‑Sn二元合金 置于热处理炉中,

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