射频功率的馈入结构及半导体工艺设备2025

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 118073160 A (43)申请公布日 2024.05.24 (21)申请号 202211475182.9 (22)申请日 2022.11.23 (71)申请人 北京北方华创微电子装备有限公司 地址 100176 北京市大兴区经济技术开发 区文昌大道8号 (72)发明人 李兴存　 (74)专利代理机构 北京国昊天诚知识产权代理 有限公司 11315 专利代理师 周永强 (51)Int.Cl. H01J 37/32 (2006.01) H01L 21/67 (2006.01) 权利要求书2页 说明书8页 附图3页 (54)发明名称 射频功率的馈入结构及半导体工艺设备 (57)摘要 本申请公开了一种射频功率的馈入结构及 半导体工艺设备，涉及半导体装备领域。一种射 频功率的馈入结构，包括：馈入结构本体；馈入结 构本体的侧壁设有第一环形槽，第一环形槽包括 两个沿馈入结构的轴向间隔设置的槽面和连接 两个槽面的槽底，两个槽面形成电容结构件，槽 底形成电感结构件；电容结构件与电感结构件并 联设置，且两者形成的等效电路的并联谐振频率 与等离子体及射频功率源之间相互作用产生的 高次谐波的频率接近或相等。一种半导体工艺设 备，包括上述馈入结构。本申请能够解决驻波效 应导致刻蚀均匀性差等问题。 A 0 6 1 3 7 0 8 1 1 N C CN 118073160 A 权　利　要