一种真空合成磷化铟多晶的方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116145252 A (43)申请公布日 2023.05.23 (21)申请号 202310179114.6 (22)申请日 2023.02.28 (71)申请人 昆明理工大学 地址 650093 云南省昆明市五华区学府路 253号 (72)发明人 王飞　谢文霞　杨斌　徐宝强　 陈巍　戴卫平　蒋文龙　田阳　 曲涛　邓勇　刘大春　 (74)专利代理机构 昆明人从众知识产权代理有 限公司 53204 专利代理师 李晓亚 (51)Int.Cl. C30B 28/02 (2006.01) C30B 29/40 (2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图3页 (54)发明名称 一种真空合成磷化铟多晶的方法 (57)摘要 本发明公开一种真空合成磷化铟多晶的方 法，将铟块和红磷粉末混合压块后放入石英管 中，在真空条件下进行热处理，其合成率最高可 达99.5％；本发明方法具有反应时间短，流程短， 成本低的优点，并且可以有效地降低气相压力和 材料被污染的风险，同时也提高了安全性。 A 2 5 2 5 4 1 6 1 1 N C CN 116145252 A 权　利　要　求　书 1/1页 1.一种真空合成磷化铟多晶的方法，其特征在于，具体步骤如下： 将铟块和红磷