倒装脊型波导半导体激光器的制作方法及半导体激光器2026

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117767109 A (43)申请公布日 2024.03.26 (21)申请号 202311807746.9 (22)申请日 2023.12.26 (71)申请人 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿 生研究所 地址 215123 江苏省苏州市工业园区若水 路398号 (72)发明人 龚毅　朱建军　杨文献　陆书龙　 华浩文　张鹏　顾颖　黄梦洋　 (74)专利代理机构 苏州三英知识产权代理有限 公司 32412 专利代理师 陆颖 (51)Int.Cl. H01S 5/042 (2006.01) H01S 5/024 (2006.01) H01S 5/22 (2006.01) 权利要求书2页 说明书7页 附图5页 (54)发明名称 倒装脊型波导半导体激光器的制作方法及 半导体激光器 (57)摘要 本发明公开了一种倒装脊型波导半导体激 光器的制作方法及半导体激光器，制作方法包 括：提供衬底，在衬底表面形成掩膜层；刻蚀掩膜 层以在掩膜层上制备条形窗口；在条形窗口内依 次生长n型覆盖层以及n型限制层，以形成n型脊 型波导；在n型限制层表面生长外延结构；在外延 结构上形成电流扩展层，并在电流扩展层表面形 成p型电极；去除衬底，并在n型覆盖层表面形成n 型电极。本发明的一种倒装脊型波导半导体激光 器的制作方法及半导体激光器，无需刻蚀n型区 即可完成对