一种深紫外发光二极管及制备方法2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117712253 A (43)申请公布日 2024.03.15 (21)申请号 202410160162.5 (22)申请日 2024.02.05 (71)申请人 江西兆驰半导体有限公司 地址 330000 江西省南昌市高新技术产业 开发区天祥北大道1717号 (72)发明人 程龙　郑文杰　高虹　刘春杨　 胡加辉　金从龙　 (74)专利代理机构 北京清亦华知识产权代理事 务所(普通合伙) 11201 专利代理师 赵红杰 (51)Int.Cl. H01L 33/12 (2010.01) H01L 33/00 (2010.01) 权利要求书1页 说明书8页 附图2页 (54)发明名称 一种深紫外发光二极管及制备方法 (57)摘要 本发明提供了一种深紫外发光二极管及制 备方法，深紫外发光二极管包括衬底，以及依次 沉积在所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、复合 n型GaN层、有源层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P 型接触层；其中，所述复合n型GaN层包括依次沉 积在所述非掺杂GaN层的复合层和n型InGaN层， 所述复合层包括按预设周期交替沉积在所述非 掺杂GaN层上的Si N 层、n型AlGaN层、InN层。本 3 4 发明的复合n型GaN层，可以阻挡位错向外延层延 伸，提高外延层晶体质量，减少发光二极管漏电 及非辐射复合。 A 3 5 2 2 1