一种具有高K、高Q、低TCF与杂散小的SAW谐振结构2026

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 118074664 A (43)申请公布日 2024.05.24 (21)申请号 202410237454.4 (22)申请日 2024.03.01 (71)申请人 晨宸辰科技有限公司 地址 311599 浙江省杭州市桐庐县凤川街 道宝兴路368号电子器械产业园4幢 (72)发明人 刘子奇　陈威　 (74)专利代理机构 苏州京昀知识产权代理事务 所(普通合伙) 32570 专利代理师 顾友 (51)Int.Cl. H03H 9/25 (2006.01) H03H 9/02 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图11页 (54)发明名称 一种具有高K、高Q、低TCF与杂散小的SAW谐 振结构 (57)摘要 本申请提供了一种具有高K、高Q、低TCF与杂 散小的SAW谐振结构，其包括基底层、设置在所述 基底层之上的高阻抗层、设置在所述高阻抗层之 上的第一SiO 温度补偿层、设置在所述第一SiO 2 2 温度补偿层之上的压电层、设置在所述压电层之 上的金属栅极、设置在所述金属栅极之上的第二 SiO 温度补偿层与第三SiO 温度补偿层。高机电 2 2 耦合系数、高品质因子、低TCF以及杂散小是面向 5G时代对于SAW谐振器的设计要求，本发明提供 的SAW结构实现了SAW谐振器高机电耦合系数、高 品质因