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PCT发明

具有平衡拓扑和负反馈的故障恢复触发器

2023-08-03 07:10:21 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202180076631.X
  • 公开（公告）日：2024-08-06
  • 公开（公告）号：CN116530014A
  • 申请人：高通股份有限公司
摘要：本公开涉及一种锁存器，包括：第一反相器，具有配置有第一沟道宽长比(W/L)的第一对场效应晶体管(FET)；以及第二反相器，具有配置有不同于该第一W/L的第二W/L的第二对FET。另一锁存器包括第一反相器和第二反相器；第一负反馈电路，包括耦合在第一电压轨和第二电压轨之间的第一FET和第二FET，该第一反相器的输入耦合在该第一FET和该第二FET之间，并且该第一FET和该第二FET包括耦合到该第一反相器的输出的栅极；以及第二负反馈电路，包括耦合在该第一电压轨和第二电压轨之间的第三FET和第四FET，该第二反相器的输入耦合在该第三FET和该第四FET之间，并且该第三FET和该第四FET包括耦合到该第二反相器的输出的栅极。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116530014 A (43)申请公布日 2023.08.01 (21)申请号 202180076631.X (74)专利代理机构 北京市金杜律师事务所 11256 (22)申请日 2021.12.03 专利代理师 张宁 (30)优先权数据 (51)Int.Cl . 17/118,476 2020.12.10 US H03K 3/0233 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 2023.05.12 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/US2021/061873 2021.12.03 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2022/125399 EN 2022.06.16 (71)申请人 高通股份有限公司 地址 美国加利福尼亚州 (72)发明人 H ·劳　 权利要求书6页 说明书15页 附图8页 (54)发明名称 具有平衡拓扑和负反馈的故障恢复触发器 (57)摘要 本公开涉及一种锁存器，包括：第一反相器， 具有配置有第一沟道宽

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