一种Cf/(Ti,Zr,Hf)C中熵陶瓷基复合材料及其制备方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116514565 A (43)申请公布日 2023.08.01 (21)申请号 202310596768.9 (22)申请日 2023.05.25 (71)申请人 北京理工大学 地址 100081 北京市海淀区中关村南大街5 号 申请人 北京交通大学 (72)发明人 张中伟　李玮洁　宋欣　叶丽　 (74)专利代理机构 北京知艺互联知识产权代理 有限公司 16137 专利代理师 孟晨光 (51)Int.Cl. C04B 35/84 (2006.01) C04B 35/626 (2006.01) C04B 35/80 (2006.01) C04B 35/56 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图2页 (54)发明名称 一种Cf/ (Ti,Zr,Hf)C中熵陶瓷基复合材料 及其制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种Cf/ (Ti,Zr,Hf)C中熵陶 瓷基复合材料及其制备方法，包括以下步骤：步 骤1 ：制备复合材料预制体表面的高织构热解碳 界面相；步骤2：对复合材料预制体进行浸渍 ；步 骤3：对浸渍完的复合材料预制体进行交联固化； 步骤4：对交联固化后的复合材料预制体进行裂 解；步骤5：重复操作步骤2、步骤3和步骤4，直至 得到的复合材料预制体的密度达到2 .5～3.5g/ 3 cm 。本发明采用上述的一种Cf/ (Ti,Zr ,Hf)C