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发明

一种防止氢脆的纳米复合薄膜及其制备方法与应用

2023-05-12 11:20:45 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202310372885.7
  • 公开（公告）日：2023-06-02
  • 公开（公告）号：CN116083851A
  • 申请人：松诺盟科技有限公司
摘要：本发明公开了一种防止氢脆的纳米复合薄膜及其制备方法与应用，涉及纳米薄膜技术领域，该薄膜包括：CdNi层、二氧化硅层、NiCrAlSi层和氧化铝层；CdNi层包括以下质量分数的元素：Cd 20%~30%和Ni 70%~80%；NiCrAlSi层包括以下质量分数的元素：Cr 20%~30%、Ni 55%~65%、Al 8%~10%、Si 1%~5%。本发明通过对CdNi层和NiCrAlSi层中各元素的质量含量进行控制，从而进一步增强了纳米复合薄膜的防氢脆效果，从而制得了防氢脆性能优异的纳米复合薄膜。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116083851 A (43)申请公布日 2023.05.09 (21)申请号 202310372885.7 C23C 14/46 (2006.01) (22)申请日 2023.04.10 (71)申请人 松诺盟科技有限公司 地址 410300 湖南省长沙市浏阳经济技术 开发区湘台路18号长沙E中心A5栋3、4 层01、02号房 (72)发明人 徐承义　 (74)专利代理机构 湖南正则奇美专利代理事务 所(普通合伙) 43105 专利代理师 肖美哲 (51)Int.Cl. C23C 14/08 (2006.01) C23C 14/10 (2006.01) C23C 14/14 (2006.01) C23C 14/35 (2006.01) 权利要求书1页 说明书9页 附图1页 (54)发明名称 一种防止氢脆的纳米复合薄膜及其制备方 法与应用 (57)摘要 本发明公开了一种防止氢脆的纳米复合薄 膜及其制备方法与应用，涉及纳米薄膜技术领 域，该薄膜包括：CdNi层、二氧化硅层、NiCrAlSi 层和氧化铝层 ；CdNi层包括以下质量分数的元 素：Cd 20% 30%和Ni 70% 80%；NiCrAlSi层包括 ~ ~ 以下质量分数的元素：Cr 20% 30%、Ni 55% 65%、

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