发明

一种复合电介质薄膜材料的制备方法和一种复合电介质薄膜材料及其应用2023

2023-12-17 07:37:28 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202311209293.X
  • 公开(公告)日:2023-12-12
  • 公开(公告)号:CN117219438A
  • 申请人:中国人民解放军国防科技大学
摘要:本发明属于电介质储能材料技术领域,公开了一种复合电介质薄膜材料及其制备方法和应用。该电介质薄膜材料包括基体和填料,基体为铁电聚合物,填料为二维SnS2纳米片,在复合电介质薄膜材料中,填料的质量百分数为0.1~1wt%,实现了铁电聚合物基体的介电常数、击穿场强和储能密度的显著提升。还可选择表面修饰后的二维SnS2纳米片作为填料可以有效改善纳米填料在聚合物基体中的团聚现象,在较低的填料浓度下实现较高的击穿场强和储能密度,在固态电介质储能电容器中具有良好的应用前景。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117219438 A (43)申请公布日 2023.12.12 (21)申请号 202311209293.X (22)申请日 2023.09.19 (71)申请人 中国人民解放军国防科技大学 地址 410073 湖南省长沙市开福区德雅路 109号 (72)发明人 李巍 张青 赵盼盼 张为军  (74)专利代理机构 长沙国科天河知识产权代理 有限公司 43225 专利代理师 段盼姣 (51)Int.Cl. H01G 4/06 (2006.01) H01G 4/33 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图9页 (54)发明名称 一种复合电介质薄膜材料的制备方法和一 种复合电介质薄膜材料及其应用 (57)摘要 本发明属于电介质储能材料技术领域,公开 了一种复合电介质薄膜材料及其制备方法和应 用。该电介质薄膜材料包括基体和填料,基体为 铁电聚合物,填料为二维SnS 纳米片,在复合电 2 介质薄膜材料中,填料的质量百分数为0 .1 ~ 1wt%,实现了铁电聚合物基体的介电常数、击穿 场强和储能密度的显著提升。还可选择表面修饰 后的二维SnS 纳米片作为填料可以有效改善纳 2 米填料在聚合物基体中的团聚现象,在较低的填 料浓度下实现较高的击穿场强和储能密度,在固 态电介质储能电容器中具有良好的应用前景。 A 8 3 4 9

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