半导体结构的形成方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114927471 A (43)申请公布日 2022.08.19 (21)申请号 202210224216.0 (22)申请日 2022.03.09 (30)优先权数据 63/173,108 2021.04.09 US 17/338,384 2021.06.03 US (71)申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 地址 中国台湾新竹市 (72)发明人 饶孟桓　黄麟淯　王圣璁　苏焕杰　 庄正吉　王志豪　 (74)专利代理机构 隆天知识产权代理有限公司 72003 专利代理师 黄艳 (51)Int.Cl. H01L 21/8234 (2006.01) 权利要求书1页 说明书13页 附图32页 (54)发明名称 半导体结构的形成方法 (57)摘要 一种半导体结构的形成方法包含：提供具有 多个源极/漏极电极与在多个源极/漏极电极上 方的一第一介电层的结构；形成覆盖第一介电层 的第一区域的第一蚀刻遮罩；对第一介电层执行 第一蚀刻工艺，使得多个第一沟槽形成于多个源 极/漏极电极上方；以具有不同于第一介电层的 材料的第二介电层填充多个第一沟槽；去除第一 蚀刻遮罩；对第一介电层的第一区域执行包括等 向性蚀刻的第二蚀刻工艺，使得第二沟槽形成于 多个源极/漏极电极中的第一个上方；沉积金属 层进入至少第二沟槽中；以及对金属层执行一化 学机械研磨(CMP)。 A 1 7 4 7 2 9 4 1 1