一种基于二维材料的互补性场效应晶体管及制备方法2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117438376 A (43)申请公布日 2024.01.23 (21)申请号 202311756443.9 (22)申请日 2023.12.20 (71)申请人 华中科技大学 地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路 1037号 (72)发明人 李学飞　李佳康　高婷婷　 (74)专利代理机构 华中科技大学专利中心 42201 专利代理师 许恒恒 (51)Int.Cl. H01L 21/8238 (2006.01) H01L 27/092 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图3页 (54)发明名称 一种基于二维材料的互补性场效应晶体管 及制备方法 (57)摘要 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种基 于二维半导体材料的互补性场效应晶体管的制 备方法：清洗衬底；在所述衬底上制备标记层；制 备第一沟道材料；在第一沟道材料表面制备第一 源漏电极；对第一沟道材料进行氧掺杂；在所述 第一源漏电极和第一沟道材料表面上沉积第一 栅介质，并在第一栅介质上制备栅电极，从而制 备得到底部场效应晶体管；制备背栅，在所述底 部场效应晶体管上沉积第二栅介质；在第二栅介 质表面形成第二沟道材料；在第二沟道材料上制 备第二源漏电极，得到顶部场效应晶体管后便完 A 成CFET的制备。本发明制备的CFET中第一、第二 6 沟道材料为同一种二维材料，相较基于不同沟道 7 3 8 材料的CFET，本发明的CFET具有更