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PCT发明

碳化硅薄膜及其气相沉积方法

2023-06-11 11:35:56 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202180066172.7
  • 公开（公告）日：2024-05-31
  • 公开（公告）号：CN116234940A
  • 申请人：盖列斯特有限公司
摘要：提供了一种气相沉积工艺，用于生长沉积的无氢碳化硅(SiC)和包含氧的SiC薄膜(SiC:O)。为了制备SiC薄膜，该方法包括向包含加热基底的反应区提供在有或没有稀释气体的气相中的硅烷烃前体，如TSCH(1,3,5-三硅杂环己烷)，以使在不与任何其他反应性化学物种或共反应物接触的情况下，前体在基底表面发生吸附和分解，以形成化学计量的、无氢的硅和碳原子比为1:1的碳化硅(SiC)。对于SiC:O膜，将氧源添加到反应区以向SiC膜掺杂氧。在硅烷烃前体中，每个碳原子都与两个硅原子键合，每个硅原子还与两个或更多个氢原子键合。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116234940 A (43)申请公布日 2023.06.06 (21)申请号 202180066172.7 (74)专利代理机构 上海一平知识产权代理有限 公司 31266 (22)申请日 2021.09.27 专利代理师 徐迅　崔佳佳 (30)优先权数据 (51)Int.Cl . 63/085,617 2020.09.30 US C23C 16/32 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 2023.03.27 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/US2021/052126 2021.09.27 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2022/072258 EN 2022.04.07 (71)申请人 盖列斯特有限公司 地址 美国宾夕法尼亚州 (72)发明人 B ·C ·阿科勒斯　 A ·E ·卡洛耶罗斯　 权利要求书2页 说明书11页 附图8页 (54)发明名称 碳化硅薄膜及其气相沉积方法 (57)摘要

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