发明

一种高熵硼化物陶瓷及制备方法2024

2024-04-07 07:24:10 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202311635789.3
  • 公开(公告)日:2024-04-05
  • 公开(公告)号:CN117819982A
  • 申请人:西南大学
摘要:本发明提供一种高熵硼化物陶瓷及制备方法,高熵硼化物陶瓷为单相的三元硼化合物,三元硼化合物的化学式为(WaMob)2(FexCoyNiz)B2,三元硼化合物的单相结构表现为Mo2NiB2型,并且与Mo2NiB2相的标准特征峰显示出偏移,主要是由于W和Mo固溶,Fe、Co和Ni固溶,形成高熵合金,造成晶格畸变,从而产生固溶强化作用,进一步提高硼化物陶瓷的硬度,此外,本发明提供的一种高熵硼化物陶瓷的制备方法,工艺简单,合成温度低,适应于大批量工业化推广和应用。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117819982 A (43)申请公布日 2024.04.05 (21)申请号 202311635789.3 (22)申请日 2023.12.01 (71)申请人 西南大学 地址 400715 重庆市北碚区天生路2号西南 大学 (72)发明人 王杰 王广瑞 上官董宇 蒋显全  (74)专利代理机构 北京清控智云知识产权代理 事务所 (特殊普通合伙) 11919 专利代理师 李少云 (51)Int.Cl. C04B 35/58 (2006.01) C04B 35/622 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图3页 (54)发明名称 一种高熵硼化物陶瓷及制备方法 (57)摘要 本发明提供一种高熵硼化物陶瓷及制备方 法,高熵硼化物陶瓷为单相的三元硼化合物,三 元硼化合物的化学式为(W Mo ) (Fe Co Ni )B , a b 2 x y z 2 三元硼化合物的单相结构表现为Mo NiB 型,并 2 2 且与Mo NiB 相的标准特征峰显示出偏移,主要 2 2 是由于W和Mo固溶,Fe、Co和Ni固溶,形成高熵合 金,造成晶格畸变,从而产生固溶强化作用,进一 步提高硼化物陶瓷的硬度,此外,本发明提供的 一种高熵硼化物陶瓷的制备方法,工艺

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