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发明

用于电池保护开关的半导体器件

2023-07-06 10:59:23 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202111146269.7
  • 公开（公告）日：2025-07-04
  • 公开（公告）号：CN113824438A
  • 申请人：深圳迈巨微电子科技有限责任公司
摘要：本公开提供了一种用于电池保护开关的半导体器件，包括：第一元胞区，第一元胞区形成有第一MOS晶体管，第一MOS晶体管接收第一控制信号以使得第一MOS晶体管导通或关断；第二元胞区，第二元胞区形成有第二MOS晶体管，第二MOS晶体管接收第二控制信号以使得第二MOS晶体管导通或关断，第一元胞区与第二元胞区相邻地设置；以及第三元胞区，第三元胞区与第二元胞区相邻地设置，第三元胞区形成有开关，开关接收第三控制信号以进行以下控制：当第一MOS晶体管进行关断动作时，开关导通以使得第二MOS晶体管在第一MOS晶体管关断之前进行关断或者在第一MOS晶体管关断的同时进行关断。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113824438 A (43)申请公布日 2021.12.21 (21)申请号 202111146269.7 (22)申请日 2021.09.28 (66)本国优先权数据 202011098258.1 2020.10.14 CN (71)申请人 珠海迈巨微电子有限责任公司 地址 519000 广东省珠海市高新区唐家湾 镇金唐路1号港湾1号科创园24栋C区1 层147室 (72)发明人 不公告发明人　 (74)专利代理机构 北京庚致知识产权代理事务 所(特殊普通合伙) 11807 代理人 韩德凯 (51)Int.Cl. H03K 17/10 (2006.01) H01L 27/088 (2006.01) 权利要求书5页 说明书13页 附图4页 (54)发明名称 用于电池保护开关的半导体器件 (57)摘要 本公开提供了一种用于电池保护开关的半 导体器件，包括：第一元胞区，第一元胞区形成有 第一MOS晶体管，第一MOS晶体管接收第一控制信 号以使得第一MOS晶体管导通或关断；第二元胞 区，第二元胞区形成有第二MOS晶体管，第二MOS 晶体管接收第二控制信号以使得第二MOS晶体管 导通或关断，第一元胞区与第二元胞区相邻地设 置；以及第三元胞区，第三元胞区与第二元胞区 相邻地设置，第三元胞区形成有开关，开关接收 第三控制信号以进行以下控制：当第一MOS晶体

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