发明

一种防止工艺气体回流的气相外延反应腔结构

2023-06-23 08:27:37 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN202110683880.7
  • 公开(公告)日:2024-10-01
  • 公开(公告)号:CN113445129A
  • 申请人:无锡吴越半导体有限公司
摘要:本发明涉及GaN制备技术领域,且公开了一种防止工艺气体回流的气相外延反应腔结构,包括安装基板和沉积底座,所述安装基板的底部表面以其中心为圆心由内向外安装有多个用于隔离气体的环形导流圈,安装基板的底部表面中心处安装有混合导流圈,混合导流圈的内腔中心处安装有多个用于工艺气体导流的隔离圈,所述安装基板的底部表面中心处通过连接杆安装有混流挡板。该防止工艺气体回流的气相外延反应腔结构,未沉积的工艺气体呈辐射状扩散在工艺气体回流区内回流,隔离气体气膜层对未沉积的工艺气体进行引导回收,从而有效的降低工艺气体回流对设备表面产生腐蚀,降低或避免回流工艺气体对沉积的GaN材料成长的影响。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113445129 A (43)申请公布日 2021.09.28 (21)申请号 202110683880.7 (22)申请日 2021.06.21 (71)申请人 无锡吴越半导体有限公司 地址 214000 江苏省无锡市新吴区漓江路 11号 (72)发明人 张海涛 山本晓 许彬  (74)专利代理机构 北京华际知识产权代理有限 公司 11676 代理人 刘秀颖 (51)Int.Cl. C30B 29/40 (2006.01) C30B 25/14 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图2页 (54)发明名称 一种防止工艺气体回流的气相外延反应腔 结构 (57)摘要 本发明涉及GaN制备技术领域,且公开了一 种防止工艺气体回流的气相外延反应腔结构,包 括安装基板和沉积底座,所述安装基板的底部表 面以其中心为圆心由内向外安装有多个用于隔 离气体的环形导流圈,安装基板的底部表面中心 处安装有混合导流圈,混合导流圈的内腔中心处 安装有多个用于工艺气体导流的隔离圈,所述安 装基板的底部表面中心处通过连接杆安装有混 流挡板。该防止工艺气体回流的气相外延反应腔 结构,未沉积的工艺气体呈辐射状扩散在工艺气 体回流区内回流,隔离气体气膜层对未沉积的工 A 艺气体进行引导回收,从而有效的降低工艺气体 9 回流对设备表面产生腐蚀,降低或避免回流工艺 2 1 5 气体对沉积的GaN材料成长的影响。 4

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