一种防止工艺气体回流的气相外延反应腔结构
- 申请专利号:CN202110683880.7
- 公开(公告)日:2024-10-01
- 公开(公告)号:CN113445129A
- 申请人:无锡吴越半导体有限公司
专利内容
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113445129 A (43)申请公布日 2021.09.28 (21)申请号 202110683880.7 (22)申请日 2021.06.21 (71)申请人 无锡吴越半导体有限公司 地址 214000 江苏省无锡市新吴区漓江路 11号 (72)发明人 张海涛 山本晓 许彬 (74)专利代理机构 北京华际知识产权代理有限 公司 11676 代理人 刘秀颖 (51)Int.Cl. C30B 29/40 (2006.01) C30B 25/14 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图2页 (54)发明名称 一种防止工艺气体回流的气相外延反应腔 结构 (57)摘要 本发明涉及GaN制备技术领域,且公开了一 种防止工艺气体回流的气相外延反应腔结构,包 括安装基板和沉积底座,所述安装基板的底部表 面以其中心为圆心由内向外安装有多个用于隔 离气体的环形导流圈,安装基板的底部表面中心 处安装有混合导流圈,混合导流圈的内腔中心处 安装有多个用于工艺气体导流的隔离圈,所述安 装基板的底部表面中心处通过连接杆安装有混 流挡板。该防止工艺气体回流的气相外延反应腔 结构,未沉积的工艺气体呈辐射状扩散在工艺气 体回流区内回流,隔离气体气膜层对未沉积的工 A 艺气体进行引导回收,从而有效的降低工艺气体 9 回流对设备表面产生腐蚀,降低或避免回流工艺 2 1 5 气体对沉积的GaN材料成长的影响。 4