一种碲半导体薄膜红外探测器件

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113871508 A (43)申请公布日 2021.12.31 (21)申请号 202110959821.8 C23C 14/24 (2006.01) C23C 14/35 (2006.01) (22)申请日 2021.08.19 (71)申请人 华中科技大学 地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路 1037号华中科技大学 (72)发明人 唐江　付刘冲　陈超　郑佳佳　 鲁帅成　刘婧　 (74)专利代理机构 北京元周律知识产权代理有 限公司 11540 代理人 杨晓云 (51)Int.Cl. H01L 31/109 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01) C23C 14/06 (2006.01) C23C 14/08 (2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图1页 (54)发明名称 一种碲半导体薄膜红外探测器件 (57)摘要 本发明公开了一种碲半导体薄膜红外探测 器件，属于红外探测技术领域，能够解决当前Te 短波红外探测器难以兼顾暗电流、响应度以及 CMOS兼容性的技术难题。所述碲半导体薄膜红外 探测器件包括：第一电极，第一电极为透明电极； 电子传输层，设置在第一电极上；碲薄膜层，设置