光致抗蚀剂层脱气防止

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113359392 A (43)申请公布日 2021.09.07 (21)申请号 202110434939.9 (22)申请日 2021.04.22 (30)优先权数据 63/041,058 2020.06.18 US 17/156,365 2021.01.22 US (71)申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 地址 中国台湾新竹市 (72)发明人 陈彥儒　刘之诚　郭怡辰　李志鸿　 李资良　翁明晖　郑雅如　 (74)专利代理机构 北京东方亿思知识产权代理 有限责任公司 11258 代理人 赵艳 (51)Int.Cl. G03F 7/11 (2006.01) 权利要求书1页 说明书16页 附图27页 (54)发明名称 光致抗蚀剂层脱气防止 (57)摘要 本申请涉及光致抗蚀剂层脱气防止。具体 地，一种制造半导体器件的方法包括：在基板上 方形成光致抗蚀剂层；以及在所述光致抗蚀剂层 上方形成脱水膜。所述光致抗蚀剂层被选择性地 暴露于光化辐射，以形成所述光致抗蚀剂层的暴 露部分和未暴露部分。所述光致抗蚀剂层被显影 以去除所述光致抗蚀剂层的所述未暴露部分和 位于所述光致抗蚀剂层的所述未暴露部分上方 的所述脱水膜的第一部分。在一个实施方式中， 所述方法包括通过使用所述光致抗蚀剂层的所 述暴露部分作为掩模来蚀刻所述基板。 A 2 9 3 9 5 3 3 1 1 N C CN 1