发明

一种原位制备氮化硅陶瓷的方法、制得的氮化硅陶瓷及其应用2024

2023-10-01 07:15:29 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202310664027.X
  • 公开(公告)日:2024-10-18
  • 公开(公告)号:CN116813354A
  • 申请人:东莞理工学院
摘要:本发明公开了一种原位制备氮化硅陶瓷的方法、制得的氮化硅陶瓷及其应用。本发明以纳米级SiO2粉、石墨粉作为原料,并添加酚醛树脂原位提供碳源,添加适量烧结助剂,采用粉末熔融挤出技术进行3D打印,在N2或Ar气的保护性气氛中脱脂,之后在N2或NH3气氛下在1400~1600℃进行气相烧结。克服了传统氮化硅成型困难等问题,省去了传统工艺模具制造的成本和时间,直接原位成型复杂形状的氮化硅陶瓷。本发明制得的氮化硅陶瓷的密度为2.8~3.0g/cm3,弯曲强度为600~900MPa,断裂韧性为6~10MPa·m1/2,热导率为60~90W/(m·K),可用于制备陶瓷基板。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116813354 A (43)申请公布日 2023.09.29 (21)申请号 202310664027.X (22)申请日 2023.06.06 (71)申请人 东莞理工学院 地址 523808 广东省东莞市松山湖科技产 业园区大学路1号 (72)发明人 李月明 赵国瑞 周洁 王彪  李润霞  (74)专利代理机构 广州嘉权专利商标事务所有 限公司 44205 专利代理师 梅素丽 (51)Int.Cl. C04B 35/591 (2006.01) C04B 35/622 (2006.01) C04B 35/638 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图3页 (54)发明名称 一种原位制备氮化硅陶瓷的方法、制得的氮 化硅陶瓷及其应用 (57)摘要 本发明公开了一种原位制备氮化硅陶瓷的 方法、制得的氮化硅陶瓷及其应用。本发明以纳 米级SiO 粉、石墨粉作为原料,并添加酚醛树脂 2 原位提供碳源,添加适量烧结助剂,采用粉末熔 融挤出技术进行3D打印,在N 或Ar气的保护性气 2 氛中脱脂,之后在N 或NH 气氛下在1400~1600 2 3 ℃进行气相烧结。克服了传统氮化硅成型困难等 问题,省去了传统工艺模具制造的成本和时间, 直接原位成型复杂形状的氮化硅

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