基于C掺杂电流扩展层的GaN基发光二极管及其制备方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114843374 A (43)申请公布日 2022.08.02 (21)申请号 202210183114.9 (22)申请日 2022.02.27 (71)申请人 西安电子科技大学 地址 710000 陕西省西安市雁塔区太白南 路2号 (72)发明人 许晟瑞　彭若诗　江青聪　范晓萌　 苏华科　张涛　张雅超　张进成　 郝跃　 (74)专利代理机构 西安嘉思特知识产权代理事 务所(普通合伙) 61230 专利代理师 刘长春 (51)Int.Cl. H01L 33/00 (2010.01) H01L 33/14 (2010.01) 权利要求书2页 说明书10页 附图5页 (54)发明名称 基于C掺杂电流扩展层的GaN基发光二极管 及其制备方法 (57)摘要 本发明涉及一种基于C掺杂电流扩展层的 GaN基发光二极管及其制备方法，方法包括：在蓝 宝石衬底层上生长AlN成核层；在AlN成核层上生 长U型GaN层；在U型GaN层上生长第一层n型GaN 层；在第一层n型GaN层上生长第二层C掺杂GaN 层；在第二层C掺杂GaN层上生长第三层n型GaN 层；在第三层n型GaN层上生长多量子阱结构；在 多量子阱结构上生长p型GaN层；刻蚀n型电极接 触区，以暴露第一层n型GaN层；在n型电极接触区 的第一层n型GaN层上沉积n型电极和在p型GaN层 上沉积p型电极，以完成GaN基发光二极管的制