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发明

一种双镀层碳化硅颗粒的制备方法及其应用2024

2024-04-21 07:44:29 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202311674064.5
  • 公开（公告）日：2024-04-19
  • 公开（公告）号：CN117902922A
  • 申请人：贵州师范学院
摘要：本发明公开了一种双镀层碳化硅颗粒的制备方法及其应用，包括，将碳化硅颗粒进行表面粗化处理，干燥得到粗化处理碳化硅颗粒，加入分散剂，球磨处理得到混合均匀的粉末，通过真空扩散镀覆工艺，制得镀Ti5Si3/Ti的SiC粉体颗粒；将碱式碳酸铜融入氨水溶液中，搅拌并充分溶解，添加聚丙烯酰胺，混合均匀后，加入镀Ti5Si3/Ti的SiC粉体颗粒，密封静止，得到充分包裹的碳化硅颗粒；将初步包覆碳化硅粉体在氢气还原气氛中加热还原处理，冷却过筛后，即得双镀层颗粒。本发明首次提出一种双镀层Cu‑Ti5Si3/Ti‑SiC粉体颗粒，在粉末冶金热压烧结制备碳化硅颗粒增强铝基复合材料时，明显改善复合材料在热压烧结过程中形成的孔洞、缝隙等缺陷，界面结合良好。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117902922 A (43)申请公布日 2024.04.19 (21)申请号 202311674064.5 (22)申请日 2023.12.07 (71)申请人 贵州师范学院 地址 550018 贵州省贵阳市乌当区高新路 115号 (72)发明人 任俊鹏　王毓　 (74)专利代理机构 南京禹为知识产权代理事务 所(特殊普通合伙) 32272 专利代理师 刘峰 (51)Int.Cl. C04B 41/90 (2006.01) B22F 1/18 (2022.01) B22F 1/145 (2022.01) B22F 1/142 (2022.01) B22F 9/22 (2006.01) 权利要求书1页 说明书8页 附图4页 (54)发明名称 一种双镀层碳化硅颗粒的制备方法及其应 用 (57)摘要 本发明公开了一种双镀层碳化硅颗粒的制 备方法及其应用，包括，将碳化硅颗粒进行表面 粗化处理，干燥得到粗化处理碳化硅颗粒，加入 分散剂，球磨处理得到混合均匀的粉末，通过真 空扩散镀覆工艺，制得镀Ti Si /Ti的SiC粉体颗 5 3 粒；将碱式碳酸铜融入氨水溶液中，搅拌并充分 溶解，添加聚丙烯酰胺，混合均匀后，加入镀 Ti Si /Ti的SiC粉体颗粒，密封静止，得到充分 5 3 包裹的碳化硅颗粒；将初

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