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用于沉积压电材料的方法和装置

2023-05-19 11:17:04 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN201980103376.6
  • 公开(公告)日:2024-10-29
  • 公开(公告)号:CN114901855A
  • 申请人:应用材料公司
摘要:本文中所公开的实例与在基板上形成薄膜层的装置和方法相关。在第一腔室中在所述基板上沉积第一压电材料层。所述第一压电材料层在所述基板处于第一温度的同时形成于所述基板上。在将所述基板冷却到第二温度之后,在所述第一压电材料层上沉积第二压电材料层。所述第二温度低于所述第一温度。所述第一压电材料层和所述第二压电材料层都包括第一压电材料。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114901855 A (43)申请公布日 2022.08.12 (21)申请号 201980103376.6 (51)Int.Cl. C23C 14/06 (2006.01) (22)申请日 2019.12.31 H03H 3/02 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 2022.06.28 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/CN2019/130795 2019.12.31 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2021/134606 EN 2021.07.08 (71)申请人 应用材料公司 地址 美国加利福尼亚州 (72)发明人 孙立中 杨晓东  (74)专利代理机构 北京律诚同业知识产权代理 有限公司 11006 专利代理师 徐金国 赵静 权利要求书3页 说明书13页 附图8页 (54)发明名称 用于沉积压电材料的方法和装置 (57)摘要 本文中所公开的实例与在基板上形成薄膜 层的装置和方法相关。在第一腔室中在所述基板 上沉积第一压电材料层。所述第一压电材料层在 所述基板处于第一温度的同时形成于所述基板 上。在将所述基板冷却到第二温度之后,在所述 第一压电材料层上沉

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