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发明

一种AB位共掺杂锰离子卤化物纳米材料及其合成方法2026

2024-04-21 07:21:41 发布于四川 61
  • 申请专利号：CN202410087266.8
  • 公开（公告）日：2026-07-07
  • 公开（公告）号：CN117887453A
  • 申请人：郑州大学
摘要：本发明涉及一种AB位共掺杂锰离子卤化物纳米材料的合成方法，合成方法包括以下步骤：1)将溴化铯等原料和A位掺杂物原料、B位掺杂物原料进行混合，混合后进行表面活化处理，再进行高能球磨，得到混合物；2)混合物加入到反应溶剂和配体的混合溶液中，在紫外光辅助下进行反应，实现配体钝化，得到反应物；3)反应物进行氧化硅包裹，得到超顺磁颗粒；4)超顺磁颗粒进行干燥、球磨和消除静电处理，得到AB位共掺杂锰离子卤化物纳米材料。本发明通采用固相法合成纯度较高的AB位共掺杂的锰离子金属卤化物，与普通锰离子金属卤化物纳米材料相比，发光强度提高。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117887453 A (43)申请公布日 2024.04.16 (21)申请号 202410087266.8 B82Y 20/00 (2011.01) B82Y 30/00 (2011.01) (22)申请日 2024.01.22 B82Y 40/00 (2011.01) (71)申请人 郑州大学 地址 450001 河南省郑州市高新技术开发 区科学大道100号 (72)发明人 卢红霞　孙新鸽　薛世威　朱舒晗　 李明亮　范冰冰　邵刚　王海龙　 许红亮　 (74)专利代理机构 焦作市科彤知识产权代理事 务所(普通合伙) 41133 专利代理师 陈湍南 (51)Int.Cl. C09K 11/02 (2006.01) C09K 11/06 (2006.01) C09K 11/61 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图3页 (54)发明名称 一种AB位共掺杂锰离子卤化物纳米材料及 其合成方法 (57)摘要 本发明涉及一种AB位共掺杂锰离子卤化物 纳米材料的合成方法，合成方法包括以下步骤： 1)将溴化铯等原料和A位掺杂物原料、B位掺杂物 原料进行混合

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