一种单晶再生长方法2024

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(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113668044 A (43)申请公布日 2021.11.19 (21)申请号 202110793429.0 (22)申请日 2021.07.14 (71)申请人 威科赛乐微电子股份有限公司 地址 404000 重庆市万州区经开区高峰园 檬子中路2号 (72)发明人 胡昌勇　李勇　 (51)Int.Cl. C30B 11/00 (2006.01) C30B 29/40 (2006.01) C30B 29/42 (2006.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图2页 (54)发明名称 一种单晶再生长方法 (57)摘要 本发明涉及一种单晶再生长方法，包括以下 步骤：S1、将单晶生长所需的籽晶和物料封装在 石英管中，投入单晶炉中完成一次单晶生长后出 炉；S2、检查石英管密封性是否完好，若完好即进 入S3，否则进入S9；S3、对石英管顶部进行加热处 理，使石英帽内壁附着的物料气化转移；S4、透过 石英帽观察晶体尾部是否存在缺陷，若存在缺陷 则进入S5，否则进入S9；S5、将石英管重新投入单 晶炉中，调高温度使晶体熔化；S6、改变单晶再生 长的生长参数；S7、控制单晶再生长时籽晶的熔 融深度；S8、完成单晶再生长后出炉。本发明在一 次单晶生长完成的基础上，判断达到再生长的条 A 件后，再次投炉进行单晶再生长的过程。提高了 4 单晶体的纯度的同时也提高了原料利用率。 4 0 8 6 6 3 1 1 N C CN 11366804