三维存储器及其制备方法、存储系统

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(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114141785 A (43)申请公布日 2022.03.04 (21)申请号 202111446325.9 (22)申请日 2021.11.30 (71)申请人 长江存储科技有限责任公司 地址 430000 湖北省武汉市东湖新技术开 发区未来三路88号 (72)发明人 陈阳　王迪　张中　周文犀　 (74)专利代理机构 北京中博世达专利商标代理 有限公司 11274 代理人 申健 (51)Int.Cl. H01L 27/11582 (2017.01) H01L 27/1157 (2017.01) H01L 27/11556 (2017.01) H01L 27/11524 (2017.01) 权利要求书4页 说明书27页 附图24页 (54)发明名称 三维存储器及其制备方法、存储系统 (57)摘要 本公开提供一种三维存储器及其制备方法、 存储系统，涉及半导体芯片技术领域，旨在提高 三维存储器的良率和可靠性，以及降低制作难 度。三维存储器包括基底和存储堆叠结构。存储 堆叠结构具有沿第一方向排列的两个存储区，以 及位于两个存储区之间的台阶区。存储堆叠结构 包括位于台阶区的多个阶梯结构和多个墙结构。 多个阶梯结构沿第一方向依次排列，且多个阶梯 结构的高度沿第一方向先降低后升高。多个墙结 构沿第一方向依次间隔排列；相邻的两个墙结构 之间间隔至少一个阶梯结构，在至少一个墙结构 沿第一方向的至少