单原子层二维氮化物的制备方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116288276 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202310285066.9 (22)申请日 2023.03.22 (71)申请人 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿 生研究所 地址 215123 江苏省苏州市工业园区若水 路398号 (72)发明人 李春晓　宋文涛　吴伟汉　陈科蓓　 韩厦　徐科　 (74)专利代理机构 苏州三英知识产权代理有限 公司 32412 专利代理师 仲崇明 (51)Int.Cl. C23C 16/455 (2006.01) C23C 16/34 (2006.01) 权利要求书1页 说明书8页 附图3页 (54)发明名称 单原子层二维氮化物的制备方法 (57)摘要 本发明公开了单原子层二维氮化物的制备 方法，该方法在采用模板法生长二维氮化物的时 候，避免长出层数较多的前体模板，而是通过控 制PVT法中的气流量、反应升温曲线、源端和衬底 的距离等因素，获得完美的单原子层厚度。此外 尽量避免在整个氮化的过程中刻蚀现象严重，模 板严重损坏难以得到平整低缺陷的单原子层氮 化物。 A 6 7 2 8 8 2 6 1 1 N C CN 116288276 A 权　利　要　求　书 1/1页 1.一种单原子层二维氮