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PCT发明

化合物半导体基板

2023-06-16 07:28:41 发布于四川 1
  • 申请专利号：CN201980086082.7
  • 公开（公告）日：2025-02-21
  • 公开（公告）号：CN113227467A
  • 申请人：爱沃特株式会社
摘要：提供能够降低含Al(铝)的氮化物半导体层内的穿透位错的化合物半导体基板。一种化合物半导体基板，具备：Si(硅)基板；第1的Al氮化物半导体层，其被形成于Si基板之上，是Al浓度沿着厚度方向随着从Si基板远离而减少的倾斜层；GaN(氮化镓)层，其被形成于第1的Al氮化物半导体层之上，具有比第1的Al氮化物半导体层的平均Al浓度低的平均Al浓度；第2的Al氮化物半导体层，其被形成于GaN层之上，具有比GaN层的平均Al浓度高的平均Al浓度。第2的Al氮化物半导体层内的厚度方向的任意位置处的穿透位错密度比第1的Al氮化物半导体层内的厚度方向的任意位置处的穿透位错密度低。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113227467 A (43)申请公布日 2021.08.06 (21)申请号 201980086082.7 (74)专利代理机构 中科专利商标代理有限责任 公司 11021 (22)申请日 2019.12.10 代理人 吴克鹏 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 2018-241389 2018.12.25 JP C30B 29/38 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 C23C 16/34 (2006.01) 2021.06.24 C30B 25/18 (2006.01) (86)PCT国际申请的申请数据 H01L 21/205 (2006.01) PCT/JP2019/048179 2019.12.10 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2020/137501 JA 2020.07.02 (71)申请人 爱

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