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发明

辐射屏蔽高熵合金及其制备方法与应用、辐射屏蔽制品2025

2024-03-29 07:20:13 发布于四川 3
  • 申请专利号：CN202311565426.7
  • 公开（公告）日：2025-07-11
  • 公开（公告）号：CN117758096A
  • 申请人：中广核研究院有限公司
摘要：本申请涉及一种辐射屏蔽高熵合金及其制备方法与应用、辐射屏蔽制品。辐射屏蔽高熵合金的制备方法包括以下步骤：将钨单质和硼单质混合后于惰性气体气氛下进行第一烧结，得到钨硼复合物；将钨硼复合物与铝单质、钼单质、铌单质及钛单质混合后进行第二烧结。该制备方法制得的辐射屏蔽高熵合金对中子辐射及γ射线同时具有较好的辐射屏蔽性能，且高温力学性能较好，同时还具有较好的耐磨性能和耐腐蚀性能。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117758096 A (43)申请公布日 2024.03.26 (21)申请号 202311565426.7 B22F 9/04 (2006.01) C23C 8/68 (2006.01) (22)申请日 2023.11.22 B22F 3/105 (2006.01) (71)申请人 中广核研究院有限公司 C22C 32/00 (2006.01) 地址 518048 广东省深圳市福田区上步中 G21F 1/08 (2006.01) 路1001号深圳科技大厦15层（1502- B22F 3/24 (2006.01) 1504、1506） (72)发明人 刘峰　李程鑫　蒋丹枫　李利　 刘夏杰　 (74)专利代理机构 华进联合专利商标代理有限 公司 44224 专利代理师 侯武娇 (51)Int.Cl. C22C 1/05 (2023.01) C22C 30/00 (2006.01) B22F 3/14 (2006.01)

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