用于HT-HVPE生长大尺寸氮化铝厚膜的装置和方法2024
- 申请专利号:CN202311559319.3
- 公开(公告)日:2024-02-20
- 公开(公告)号:CN117568923A
- 申请人:北京大学
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117568923 A (43)申请公布日 2024.02.20 (21)申请号 202311559319.3 (22)申请日 2023.11.21 (71)申请人 北京大学 地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号 (72)发明人 于彤军 王泽人 吴洁君 刘云琪 张皇澍 陈加昊 沈波 (74)专利代理机构 北京万象新悦知识产权代理 有限公司 11360 专利代理师 黄凤茹 (51)Int.Cl. C30B 25/14 (2006.01) C30B 29/40 (2006.01) C23C 16/455 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图1页 (54)发明名称 用于HT-HVPE生长大尺寸氮化铝厚膜的装置 和方法 (57)摘要 本发明公布了一种用于HT‑HVPE生长大尺寸 氮化铝厚膜的装置和方法,包括隔光通流装置, 配合间断式生长方法。隔光通流装置至少包括: 单层隔板或多层隔板及磨砂牺牲石英管;隔板内 设有多个隔光通孔;气流可顺畅通过隔光通孔; 光线则被隔光通孔阻挡;隔板套设于磨砂石英牺 牲管内。间断式生长方法为:III族源AlCl 和V族 3 源氨气交替通断,气流流量足够以使得气流顺利 通过隔光通流部件,防止在错位或弯折斜通孔处 的沉积,到达高温区并在衬底表面反应沉积生长 AlN。本发明能够解决现有技术中A