一种稀土离子掺杂ITO靶材的制备方法2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117362006 A (43)申请公布日 2024.01.09 (21)申请号 202311307284.4 (22)申请日 2023.10.10 (71)申请人 株洲火炬安泰新材料有限公司 地址 412000 湖南省株洲市天元区湘芸路 2586号 (72)发明人 唐安泰　唐智勇　程波　 (74)专利代理机构 湖南正则奇美专利代理事务 所(普通合伙) 43105 专利代理师 罗煜林 (51)Int.Cl. C04B 35/01 (2006.01) C04B 35/622 (2006.01) C04B 35/638 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 (54)发明名称 一种稀土离子掺杂ITO靶材的制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种稀土离子掺杂ITO靶材的 制备方法，属于ITO靶材技术领域，所述稀土离子 掺杂ITO靶材的制备方法，包括以下步骤：将氯化 镧溶解得到溶液A ，低渗电炉升温后滴加蒸馏水， 之后迅速放入钛酸钡粉体，同时滴加溶液A，冷却 得到钛酸钡‑镧离子粉体，将钛酸钡‑镧离子粉 体、氧化锡粉体、蒸馏水、十二烷基磺酸钠搅拌球 磨，得到混合物A，将氧化铟粉体、蒸馏水、十二烷 基磺酸钠、聚乙烯醇PVA搅拌均匀得到混合物B ， 将混合物A和混合物B进行砂磨，得到混合物C，将 混合物C注入模器得到素坯，脱脂烧结后得到掺 杂稀土离子的ITO靶材；本发明所制备的ITO靶材 A 致密度高、导