一种射流冲击式半导体制冷装置及其冷却方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116358183 A (43)申请公布日 2023.06.30 (21)申请号 202310181447.2 (22)申请日 2023.02.21 (71)申请人 杭州大和热磁电子有限公司 地址 310051 浙江省杭州市滨江区滨康路 668号、777号 (72)发明人 王庆广　 (74)专利代理机构 杭州杭诚专利事务所有限公 司 33109 专利代理师 郑汝珍 (51)Int.Cl. F25B 21/02 (2006.01) 权利要求书2页 说明书8页 附图5页 (54)发明名称 一种射流冲击式半导体制冷装置及其冷却 方法 (57)摘要 本发明公开了一种射流冲击式半导体制冷 装置，包括半导体制冷主体，所述的半导体制冷 主体嵌设在一冷却主体上，所述的冷却主体内部 设置有射流冲击冷却通道，所述的射流冲击冷却 通道与半导体制冷主体之间形成射流冲击式冷 却结构。还公开了该射流冲击式半导体制冷装置 的冷却方法。该射流冲击式半导体制冷装置，结 构紧凑简单，采用射流冲击式冷却结构，冷却液 能够最大限度地与半导体制冷主体接触且在撞 击接触后快速分离，能够将热量快速带走，有效 提升了半导体制冷主体的散热能力和制冷能力， A 而且还能够使输入的电能达到节能目的，实现了 3 电能的高效利用。 8 1 8 5 3 6 1 1 N C CN 116358183 A 权　利　要　求　书