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一种降低气孔率的自修复陶瓷材料及其制备方法2024

2023-09-24 08:29:46 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202310786466.8
  • 公开(公告)日:2024-04-05
  • 公开(公告)号:CN116789440A
  • 申请人:齐鲁工业大学(山东省科学院)
摘要:本发明公开了一种降低气孔率的自修复陶瓷及其制备方法,包括以下体积份的组分:Al2O360‑85份,TiN 10‑20份,TiSi210‑20份,MgO 0.1‑1份,Y2O30.1‑1份。其中,Al2O3为基体,TiN和TiSi2为修复剂,MgO和Y2O3为烧结助剂。修复作用通过向陶瓷基体中添加具有修复功能的TiN和TiSi2,使陶瓷材料具有裂纹愈合的功能。TiN起主要修复作用,TiSi2辅助修复并减少表面气孔的产生。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116789440 A (43)申请公布日 2023.09.22 (21)申请号 202310786466.8 (22)申请日 2023.06.29 (71)申请人 齐鲁工业大学 (山东省科学院) 地址 250353 山东省济南市长清区大学路 3501号 (72)发明人 陈照强 史玉鑫 许崇海 陈辉  衣明东  肖光春 张静婕 刘文俊  (74)专利代理机构 济南圣达知识产权代理有限 公司 37221 专利代理师 张晓鹏 (51)Int.Cl. C04B 35/10 (2006.01) C04B 35/622 (2006.01) C04B 35/645 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图4页 (54)发明名称 一种降低气孔率的自修复陶瓷材料及其制 备方法 (57)摘要 本发明公开了一种降低气孔率的自修复陶 瓷及其制备方法,包括以下体积份的组分:Al O  2 3 60‑85份,TiN  10‑20份,TiSi   10‑20份,MgO  2 0.1‑1份,Y O 0.1‑1份。其中,Al O 为基体,TiN 2 3 2 3 和TiSi 为修复剂,MgO和

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