半导体结构及其形成方法2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117579025 A (43)申请公布日 2024.02.20 (21)申请号 202410010633.4 (22)申请日 2024.01.04 (71)申请人 常州承芯半导体有限公司 地址 213166 江苏省常州市武进区国家高 新技术产业开发区淹城南路518号 (72)发明人 吴冉冉　杨新宇　邹雅丽　邵晓斐　 (74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限 公司 11227 专利代理师 吴敏 (51)Int.Cl. H03H 9/13 (2006.01) H03H 9/02 (2006.01) 权利要求书2页 说明书17页 附图15页 (54)发明名称 半导体结构及其形成方法 (57)摘要 本发明提供一种半导体结构及其形成方法， 其中半导体结构包括：压电层；位于所述压电层 上的两个叉指换能器；位于两个所述叉指换能器 之间的多个反射结构，其中，所述反射结构的形 状、所述反射结构的尺寸及多个所述反射结构的 排布三项中至少有两项是不规则的；从而提升反 射结构的散射程度，使声表面波在反射过程经过 多个不同的反射角，产生反相消除，达到进一步 降低干扰的效果，提升最终形成半导体结构的性 能。 A 5 2 0 9 7 5 7 1 1 N C CN 117579025 A 权　利　要　求　书 1/2 页