一种基于高压半导体开关的纳秒级前沿方波脉冲源2023

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 219780118 U (45)授权公告日 2023.09.29 (21)申请号 202321338651.2 (22)申请日 2023.05.30 (73)专利权人 四川两用技术有限公司 地址 621000 四川省绵阳市绵山路64号科 学城海天工业园电力电缆大楼一楼 (72)发明人 高彬　任成贤　聂强　黄贤忠　 杨娇　 (74)专利代理机构 合肥上博知识产权代理事务 所(特殊普通合伙) 34188 专利代理师 张果果 (51)Int.Cl. H03K 17/56 (2006.01) H03K 17/94 (2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图1页 (54)实用新型名称 一种基于高压半导体开关的纳秒级前沿方 波脉冲源 (57)摘要 本实用新型公开了一种基于高压半导体开 关的纳秒级前沿方波脉冲源，涉及脉冲功率技术 领域，包括 ：信号源控制器、高压电源模块、等效 电容模块、激光光源和高压半导体开关，所述高 压电源模块和所述激光光源分别与所述信号源 控制器光隔离传输连接，所述激光光源与所述高 压半导体开关光隔离传输连接，所述高压电源模 块和所述高压半导体开关分别与所述等效电容 模块电性连接 ，且所述等效电容模块连接至负 载。有益效果：通过将高压半导体开关代替常规 固态开关，相较于常规的固态开关，基于高压半 U 导体开关的纳秒级前沿方波脉冲源具有结构紧 8 凑、耐压高、di/d