一种制备碳化硅材料的方法、应用及碳化硅材料2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 118064864 A (43)申请公布日 2024.05.24 (21)申请号 202410219496.5 (22)申请日 2024.02.27 (71)申请人 湖南德智新材料有限公司 地址 412000 湖南省株洲市天元区金马路 156号湖南德智半导体产业园1号厂房 (72)发明人 廖家豪　柴攀　万强　 (74)专利代理机构 北京布瑞知识产权代理有限 公司 11505 专利代理师 周坤 (51)Int.Cl. C23C 16/32 (2006.01) 权利要求书1页 说明书11页 附图2页 (54)发明名称 一种制备碳化硅材料的方法、应用及碳化硅 材料 (57)摘要 本发明涉及半导体刻蚀材料技术领域，提供 了一种制备碳化硅材料的方法、应用及碳化硅材 料，所述制备碳化硅材料的方法包括：提供一基 底，将所述基底置于真空的化学气相沉积设备中 加热；将稀释气体和反应气体通入化学气相沉积 设备中，所述反应气体包括碳硅烷烃和/或还原 性气体，设置沉积的工艺参数：沉积温度为1000 ℃‑1500℃，沉积压力为9000Pa‑40,000Pa，碳硅 烷烃和还原性气体的流量比为1:(1‑40) ；化学气 相沉积完成后，停止通入稀释气体和反应气体。 由上述方法得到的碳化硅材料兼具高电阻率、高 A 纯度及高致密度等优良特性，可以用于半导体生 4 产中。 6 8 4 6 0 8 1 1 N C CN 118064864