半导体结构、制备方法及半导体封装结构

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112786467 A (43)申请公布日 2021.05.11 (21)申请号 201911080689.2 (22)申请日 2019.11.07 (71)申请人 长鑫存储技术有限公司 地址 230000 安徽省合肥市经济技术开发 区翠微路6号海恒大厦630室 (72)发明人 范增焰　 (74)专利代理机构 广州华进联合专利商标代理 有限公司 44224 代理人 汪洁丽 (51)Int.Cl. H01L 21/60(2006.01) H01L 21/768(2006.01) H01L 23/31(2006.01) 权利要求书2页 说明书7页 附图5页 (54)发明名称 半导体结构、制备方法及半导体封装结构 (57)摘要 本发明涉及一种半导体结构，包括：衬底、焊 盘、第一保护层、连接插塞、重布线层、凸块、第二 保护层；重布线层包括第一金属线、第二金属线； 第二金属线不进行任何电连接。由于第二金属线 和第一金属线等高，因此第一金属线上的凸块和 第二金属线上的凸块相当于形成于同一层，因此 第一金属线上的凸块与第二金属线上凸块的共 面性较高，第二金属线与焊盘绝缘，因此形成于 第二金属线上的凸块并不起导电作用，在衬底翘 曲产生应力时将应力转移到第一保护层，本申请 的衬底中凸块共面性较好，减小倒装到基板上时 出