一体化无外接原料气体的高品质金刚石MPCVD生长设备及生长方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114032526 A (43)申请公布日 2022.02.11 (21)申请号 202111328019.5 (22)申请日 2021.11.10 (71)申请人 哈尔滨工业大学 地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西 大直街92号 (72)发明人 朱嘉琦　李一村　代兵　郝晓斌　 赵继文　张森　 (74)专利代理机构 哈尔滨华夏松花江知识产权 代理有限公司 23213 代理人 侯静 (51)Int.Cl. C23C 16/27 (2006.01) C23C 16/44 (2006.01) C23C 16/50 (2006.01) C23C 16/52 (2006.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图3页 (54)发明名称 一体化无外接原料气体的高品质金刚石 MPCVD生长设备及生长方法 (57)摘要 一体化无外接原料气体的高品质金刚石 MPCVD生长设备及生长方法，它为了解决现有 MPCVD生长设备需要以氢气、甲烷等作为原料气 体，气体管路安装复杂的问题。本发明金刚石 MPCVD生长设备中反应室内腔腔体套设在反应室 外腔腔体内部，反应室内腔腔体的底部与竖直波 导管相连通，水平波导管的一端与微波源相连， 石墨碳源可控样品台设置在反应室内腔腔体内， 石墨碳源可控样品台与竖直波导管同轴设置在 石墨碳源可控样品台的上表面开有沟槽，沟槽内