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掩模基底、转印用掩模以及半导体器件的制造方法

2023-06-04 11:27:07 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN201980059055.0
  • 公开(公告)日:2024-11-22
  • 公开(公告)号:CN112673314A
  • 申请人:HOYA株式会社
摘要:提供一种掩模基底,即使在掩模基底的基板主表面上存在缺陷,该缺陷也不会对利用转印用掩模的转印像产生影响,能够作为合格品。一种掩模基底,其在透光性基板的主表面上具备转印图案形成用的薄膜,在所述透光性基板的主表面上存在缺陷,该缺陷在将从所述主表面侧观察时的宽度设为w、在所述主表面的垂直方向上从所述主表面到缺陷的前端为止的长度设为L时,满足L≤97.9×w‑0.4的关系。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112673314 A (43)申请公布日 2021.04.16 (21)申请号 201980059055.0 (74)专利代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 (22)申请日 2019.09.04 代理人 谢辰 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 2018-170715 2018.09.12 JP G03F 1/50 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 G03F 1/32 (2006.01) 2021.03.10 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/JP2019/034704 2019.09.04 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2020/054527 JA 2020.03.19 (71)申请人 HOYA株式会社 地址 日本东京都 (72)发明人 石田宏之 相泽毅  权利要求书1页 说明书12页 附图3页 (5

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